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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

NTD20N06LT4G 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

内部编号

277-NTD20N06LT4G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:2650
2500+¥2.443
最小起订量:2500
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:5031
1+¥3.043
25+¥3.012
100+¥2.981
250+¥2.958
500+¥2.926
1000+¥2.894
2500+¥2.863
最小起订量:1
加州
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

#3

数量:5031
1+¥4.0553
25+¥4.0136
100+¥3.9719
250+¥3.9406
500+¥3.899
1000+¥3.8572
2500+¥3.8155
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

NTD20N06LT4G产品详细规格

规格书 NTD20N06LT4G datasheet 规格书
NTD20N06LT4G datasheet 规格书
NTD20N06L
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 20A
Rds(最大)@ ID,VGS 48 mOhm @ 10A, 5V
VGS(TH)(最大)@ Id 2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 32nC @ 5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 990pF @ 25V
功率 - 最大 1.36W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 DPAK-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3DPAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 60 V
最大连续漏极电流 20 A
RDS -于 48@5V mOhm
最大门源电压 ±15 V
典型导通延迟时间 9.6 ns
典型上升时间 98 ns
典型关闭延迟时间 25 ns
典型下降时间 62 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 20A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2V @ 250µA
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备封装 DPAK-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 48 mOhm @ 10A, 5V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1.36W
漏极至源极电压(Vdss) 60V
输入电容(Ciss ) @ VDS 990pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 32nC @ 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 NTD20N06LT4GOSCT
类别 Power MOSFET
渠道类型 N
配置 Dual Drain
外形尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm
身高 2.38mm
长度 6.73mm
最大漏源电阻 48 mΩ
最高工作温度 +175 °C
最大功率耗散 60 W
最低工作温度 -55 °C
每个芯片的元件数 1
包装类型 D-PAK
引脚数 4
典型栅极电荷@ VGS 16.6 nC @ V @ 5
典型输入电容@ VDS 707 pF @ V @ 25
宽度 6.22mm
工厂包装数量 2500
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 +/- 15 V
连续漏极电流 20 A
正向跨导 - 闵 17.5 S
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 39 mOhms
功率耗散 60 W
上升时间 98 ns
漏源击穿电压 60 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 62 ns
漏极电流(最大值) 20 A
频率(最大) Not Required MHz
栅源电压(最大值) �15 V
输出功率(最大) Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.048 ohm
工作温度范围 -55C to 175C
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %
漏源导通电压 60 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :20mA
Drain Source Voltage Vds :60V
On Resistance Rds(on) :48mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :5V
Threshold Voltage Vgs :1.6V
Weight (kg) 0
Tariff No. 85412900
associated 80-4-5

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